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STP24NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STP24NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.19
- Drain Current (Dc)_max(A)
：17
- PTOT_max(W)
：125
- Qg_typ(nC)
：46
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
11000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
Through Hole |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
Through Hole |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
18 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
Through Hole |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |
