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STP4N62K3	文件：373.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STP4N62K3	文件：1.06158 Mbytes Page：19 Pages	N-channel 620 V, 1.7 廓 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,renderi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
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STU4N62K3	文件：318.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STU4N62K3	文件：977.19 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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详细参数

型号：
STP4N62K3
功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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