STP4N62K3中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STP4N62K3规格书详情
描述 Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected
Applications
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STP4N62K3
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ST/意法 |
21+ |
TO-220 |
5000 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST原装 |
25+23+ |
TO-220 |
22895 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
