STP4N150中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
STP4N150
- 功能描述：
MOSFET PowerMESH MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST专家 |
22+23+ |
TO-220 |
29784 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO-220 |
20000 |
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ST/意法 |
2022 |
TO220 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
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ST专家 |
21+ |
TO-220 |
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ST |
22+ |
TO-220 |
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ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-220-3 |
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ST(意法) |
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