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STB11N52K3	文件：1.16073 Mbytes Page：20 Pages	N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsmadeusingtheSuperMESH3™technologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingtransistorhasanextremelylowonresistance,superio	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
11N52K3	文件：1.85384 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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STP11N52K3	文件：1.03514 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
STB11N52K3
功能描述：
MOSFET N-channel 525 V 0.41 Ohm 10 A SuperMESH3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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