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STB11NM80T4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 11 A MDmesh Power MOSFET in a D2PAK package These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Util • High dv/dt and avalanche capabilities \n• Low gate input resistance \n• 100% avalanche tested;	ST 意法半导体	ST
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更多STB11NM80T4供应商更新时间2025-12-24 14:14:00