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STB200N6F3 | N-channel 60 V, 3 m廓, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET??Power MOSFET 文件：858.28 Kbytes 页数：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
STB200N6F3 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | ST 意法半导体 | ST | |
N-channel 60 V, 3 m廓, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET??Power MOSFET 文件：858.28 Kbytes 页数：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.17 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.91 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
详细参数
- 型号：
STB200N6F3
- 功能描述：
MOSFET N-channel 60 V 3 m 120 A TO-22
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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