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STB30NF10T4	文件：510.1 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 100V - 0.038廓 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET??II Power MOSFET 文件：510.1 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB30NF10T4	文件：974.73 Kbytes Page：8 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：974.73 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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详细参数

型号：
STB30NF10T4
功能描述：
MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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