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STB60N55F3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:345.13 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STB60N55F3

N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET

文件:630.35 Kbytes 页数:20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB60N55F3_09

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意法半导体

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD60N55F3

N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:999.05 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STF60N55F3

N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STB60N55F3

  • 功能描述:

    MOSFET STripFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STB60N55F3供应商 更新时间2025-12-8 20:29:00