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STBV42D	文件：121.24 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BV42D；Package：TO-92；High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. Features ■ High volt 文件：121.24 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STBV42D	文件：848.89 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package 文件：848.89 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
STBV42D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1A TO92-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STC10F04XE	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	STC
STC10F04XE-35I-LQFP44G	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市亿盛嘉业电子有限公司	STC

产品属性

产品编号：
STBV42D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 250mA，750mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 400mA，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 400V 1A TO92-3

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