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STB6N60M2	文件：1.08637 Mbytes Page：21 Pages	Extremely low gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STF6N60M2	文件：1.13144 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF6N60M2	文件：1.11572 Mbytes Page：18 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficiency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF6N60M2	文件：318.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STN6N60M2	文件：262.57 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,1.00typ.,5.5AMDmeshM2PowerMOSFETinanSOT223-2package Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(Coss)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP6N60M2	文件：1.11572 Mbytes Page：18 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficiency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP6N60M2	文件：371.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU6N60M2	文件：316.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU6N60M2	文件：1.11572 Mbytes Page：18 Pages	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficiency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB6N60M2
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
POWER MOSFET - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 600V D2PAK
功能描述：
STB6N60M2 Series 600 V 4.5 A 1.2 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-263-3
功能描述：
MOSFET N-Channel 600V 4.5A D2PAK
功能描述：
N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET
功能描述：
600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET

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