STB6N60M2中文资料N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB6N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB6N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.5
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-263-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
STM |
23+ |
D2PAK |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-263 |
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24+ |
N/A |
74000 |
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询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
54 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
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询价 | ||
ST |
2447 |
TO-263-3 |
100500 |
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询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
