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STBV32G	文件：217.18 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Features ■Highvoltagecapability ■Lowspreadofdynamicparameters ■Minimumlot-to-lotspreadforreliableoperation ■Veryhighswitchingspeed Applications ■Compactfluorescentlamps(CFLS) ■SMPSforbatterycharger Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltage mu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STBV32G	文件：239.77 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltagemultiepitaxialplanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapability.ItusesacellularemitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. TheSTBV32GandSTBV3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STBV32G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STBV32G-AP	文件：217.18 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Features ■Highvoltagecapability ■Lowspreadofdynamicparameters ■Minimumlot-to-lotspreadforreliableoperation ■Veryhighswitchingspeed Applications ■Compactfluorescentlamps(CFLS) ■SMPSforbatterycharger Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltage mu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STBV32G-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
STBV32G
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 1A，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3

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