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STBV32G-AP分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STBV32G-AP |
| 参数属性 | STBV32G-AP 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP |
| 功能描述 | High voltage fast-switching NPN power transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-92AP / TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 文件大小 |
217.18 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-30 23:00:00 |
| 人工找货 | STBV32G-AP价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STBV32G-AP规格书详情
STBV32G-AP属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由意法半导体集团制造生产的STBV32G-AP晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
■ High voltage capability
■ Low spread of dynamic parameters
■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
■ Very high switching speed
Applications
■ Compact fluorescent lamps (CFLS)
■ SMPS for battery charger
描述 Description
The device is manufactured using high voltage
multi epitaxial planar technology for high switching
speeds and high voltage capability. It uses a
cellular emitter structure with planar edge
termination to enhance switching speeds while
maintaining the wide RBSOA.
The STBV32G and STBV32G-AP are supplied
using halogen-free molding compound.
产品属性
更多- 产品编号：
STBV32G-AP
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 1A，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商器件封装：
TO-92AP
- 描述：
TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
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ST |
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500 |
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ST/意法 |
24+ |
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ST/意法 |
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TO92 |
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STMicroelectronics |
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TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA) |
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ST |
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