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STBV20500BY4中文资料远创达科技数据手册PDF规格书

STBV20500BY4
厂商型号

STBV20500BY4

功能描述

GaN HEMT 50V, 500W,1.8-2.0GHz RF Power Transistor

文件大小

1.56867 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 Innogration Technologies, Inc.
企业简称

INNOGRATION远创达科技

中文名称

远创达科技官网

原厂标识
INNOGRATION
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:08:00

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STBV20500BY4规格书详情

描述 Description

The STBV20500BY4 is a dual path 500watt , Input matched GaN HEMT, ideal for applications from

1.8 to 2.0GHz especially for LTE/5G

Applications

 Asymmetrical Doherty amplifier within 1.8-2.0GHz

 Sub-2GHz power amplifier

 CW or pulsed Amplifier

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