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STBV10350BY4中文资料远创达科技数据手册PDF规格书

STBV10350BY4
厂商型号

STBV10350BY4

功能描述

Gallium Nitride 50V, 350W,0.6-1GHz RF Power Transistor

文件大小

1.60483 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 Innogration Technologies, Inc.
企业简称

INNOGRATION远创达科技

中文名称

远创达科技官网

原厂标识
INNOGRATION
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:30:00

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STBV10350BY4规格书详情

描述 Description

The STBV10350BY4 is a 350watt Doherty pair capable, GaN HEMT, ideal for for 4G/5G cellular

applications from 0.6 to 1GHz..

It can be configured as asymmetrical Doherty delivering 45-55W average power, according to normal

8-9dB back off.

There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications

 Asymmetrical Doherty amplifier within 0.6-1GHz

 UHF TV

 P band power amplifier

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