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STBV18200BY4中文资料远创达科技数据手册PDF规格书

STBV18200BY4
厂商型号

STBV18200BY4

功能描述

Gallium Nitride 50V, 200W,1.3-1.8GHz RF Power Transistor

文件大小

1.63851 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 Innogration Technologies, Inc.
企业简称

INNOGRATION远创达科技

中文名称

远创达科技官网

原厂标识
INNOGRATION
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:40:00

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STBV18200BY4规格书详情

描述 Description

The STBV18200BY4 is a 200watt Doherty pair capable, GaN HEMT, ideal for for 4G/5G cellular

applications from 1.3 to 1.8GHz..

It can be configured as asymmetrical Doherty delivering 80W average power, according to normal

8dB back off.

There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications

 Asymmetrical Doherty amplifier

 L band power amplifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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