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STBV18200BY4	文件：1.63851 Mbytes Page：6 Pages	Gallium Nitride 50V, 200W,1.3-1.8GHz RF Power Transistor Description The STBV18200BY4 is a 200watt Doherty pair capable, GaN HEMT, ideal for for 4G/5G cellular applications from 1.3 to 1.8GHz.. It can be configured as asymmetrical Doherty delivering 80W average power, according to normal 8dB back off. There is no guarantee of performance when this 文件：1.63851 Mbytes 页数：6 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
STBV18200BY4	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaN Transistors	Innogration 远创达	Innogration
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更多STBV18200BY4供应商更新时间2026-2-2 15:30:00