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STBV32-AP分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

STBV32-AP
厂商型号

STBV32-AP

参数属性

STBV32-AP 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP

功能描述

High voltage fast-switching NPN power transistor
TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP

丝印标识

BV32

封装外壳

TO-92AP / TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

文件大小

217.18 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 23:01:00

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STBV32-AP规格书详情

STBV32-AP属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的STBV32-AP晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Features

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

Applications

■ Compact fluorescent lamps (CFLS)

■ SMPS for battery charger

Description

The device is manufactured using high voltage

multi epitaxial planar technology for high switching

speeds and high voltage capability. It uses a

cellular emitter structure with planar edge

termination to enhance switching speeds while

maintaining the wide RBSOA.

The STBV32G and STBV32G-AP are supplied

using halogen-free molding compound.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STBV32-AP

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500mA,1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 1A,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

  • 供应商器件封装:

    TO-92AP

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP

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