STBV32-AP分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
,TO-226_straightlead.jpg)
厂商型号 |
STBV32-AP |
参数属性 | STBV32-AP 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP |
功能描述 | High voltage fast-switching NPN power transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | TO-92AP / TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
文件大小 |
217.18 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-28 23:01:00 |
人工找货 | STBV32-AP价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
STBV32-AP规格书详情
STBV32-AP属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的STBV32-AP晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Features
■ High voltage capability
■ Low spread of dynamic parameters
■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
■ Very high switching speed
Applications
■ Compact fluorescent lamps (CFLS)
■ SMPS for battery charger
Description
The device is manufactured using high voltage
multi epitaxial planar technology for high switching
speeds and high voltage capability. It uses a
cellular emitter structure with planar edge
termination to enhance switching speeds while
maintaining the wide RBSOA.
The STBV32G and STBV32G-AP are supplied
using halogen-free molding compound.
产品属性
更多- 产品编号:
STBV32-AP
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 500mA,1.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
5 @ 1A,2V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商器件封装:
TO-92AP
- 描述:
TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-92AP |
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