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STBV22352BY4中文资料远创达科技数据手册PDF规格书

STBV22352BY4
厂商型号

STBV22352BY4

功能描述

GaN HEMT 50V, 350W,1.8-2.2GHz RF Power Transistor

文件大小

1.58797 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 Innogration Technologies, Inc.
企业简称

INNOGRATION远创达科技

中文名称

远创达科技官网

原厂标识
INNOGRATION
数据手册

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更新时间

2025-8-2 20:00:00

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STBV22352BY4规格书详情

描述 Description

The STBV22352BY4 is a dual path 350watt , Input matched GaN HEMT, ideal for applications from

1.8 to 2.2GHz especially for LTE/5G

Applications

 Asymmetrical Doherty amplifier within 1.8-2.2GHz

 Sub-2GHz power amplifier

 CW or pulsed Amplifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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