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STBV22W200C9中文资料远创达科技数据手册PDF规格书

STBV22W200C9
厂商型号

STBV22W200C9

功能描述

GaN HEMT 50V, 200W,1.8-2.2GHz Full band RF Power Transistor

文件大小

1.68659 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 Innogration Technologies, Inc.
企业简称

INNOGRATION远创达科技

中文名称

远创达科技官网

原厂标识
INNOGRATION
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:01:00

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STBV22W200C9规格书详情

描述 Description

The STBV22W200C9 is a dual path 200watt, Internally matched GaN HEMT, ideal for applications from

1.8 to 2.2GHz full band operation especially for LTE/5G

There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications

 Asymmetrical Doherty amplifier within 1.8-2.2GHz full band

 Sub-2GHz power amplifier

 CW or pulsed Amplifier

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