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STB8N65M5	文件：1.30413 Mbytes Page：25 Pages	N-channel 650 V, 0.56 廓, 7 A MDmesh??V Power MOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB8N65M5	文件：313.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
8N65M5	文件：1.10577 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD8N65M5	文件：324.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD8N65M5	文件：1.30413 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.56廓,7AMDmesh??VPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD8N65M5	文件：1.245 Mbytes Page：26 Pages	aPhase-Dimmable,Primary-SideRegulatedLEDDriver	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
STF8N65M5	文件：1.30413 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.56廓,7AMDmesh??VPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF8N65M5	文件：313.49 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI8N65M5	文件：358.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=60mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingappl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI8N65M5	文件：1.30413 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.56廓,7AMDmesh??VPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STL8N65M5	文件：1.03205 Mbytes Page：13 Pages	N-channel650V,0.56,7AMDmeshVPowerMOSFETinPowerFLAT5x5	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP8N65M5	文件：1.30413 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.56廓,7AMDmesh??VPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP8N65M5	文件：318.86 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP8N65M5	文件：1.10768 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STU8N65M5	文件：332.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU8N65M5	文件：1.30413 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.56廓,7AMDmesh??VPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB8N65M5
功能描述：
MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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