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STB4N62K3	文件：1.04984 Mbytes Page：18 Pages	N-channel 620 V, 1.7 廓, 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB4N62K3	文件：1.10285 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB4N62K3	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK;	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STD4N62K3	文件：1.04984 Mbytes Page：18 Pages	N-channel620V,1.7廓,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF4N62K3	文件：319.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF4N62K3	文件：1.06158 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.7廓typ.,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,renderi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI4N62K3	文件：1.06158 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.7廓typ.,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,renderi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI4N62K3	文件：282.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI4N62K3	文件：1.06158 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.7廓typ.,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,renderi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4N62K3	文件：1.06158 Mbytes Page：19 Pages	N-channel620V,1.7廓typ.,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,renderi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB4N62K3
功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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