STD4N62K3中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
STD4N62K3
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3838 |
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ST |
2016+ |
TO-252 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
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三年内 |
1983 |
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ST |
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SOT252 |
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ST/意法半导体 |
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TO-252-3 |
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ST/意法 |
15+ |
TO-252 |
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ST |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
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