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STB25NM50N-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:281.04 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STB25NM50N-1

N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

文件:678.16 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB25NM50N-1

N-channel 500V - 0.11廓 - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

文件:514.78 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB25NM50N-1

N-channel 500 V, 0.11 廓, 22 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247

文件:616.46 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STB25NM50N-1

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL MFT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STB25NM50N-1供应商 更新时间2025-10-11 17:06:00