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STF40N60M2	文件：1.17801 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.078typ.,34AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD2PAK,TO-220andTO-247packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF40N60M2	文件：886.43 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.078Ωtyp.,34AMDmeshM2PowerMOSFETsinTO-220FP,I2PAKFPandTO-3PFpackages Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(Coss)profile •100avalanchetested •Zener-protected Applications •Switchingapplications •LLCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2tec	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFH40N60M2	文件：726.98 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.078typ.,34AMDmeshTMM2PowerMOSFETinaTO-220FPwidecreepagepackage Features Extremelylowgatecharge Excellentoutputcapacitance(COSS)profile 100avalanchetested Zener-protected Widecreepagedistanceof4.25mmbetweenthepins Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstoitsstrip	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI40N60M2	文件：1.19475 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.078typ.,34AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD2PAK,TO-220andTO-247packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI40N60M2	文件：886.43 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.078Ωtyp.,34AMDmeshM2PowerMOSFETsinTO-220FP,I2PAKFPandTO-3PFpackages Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(Coss)profile •100avalanchetested •Zener-protected Applications •Switchingapplications •LLCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2tec	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFW40N60M2	文件：886.43 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.078Ωtyp.,34AMDmeshM2PowerMOSFETsinTO-220FP,I2PAKFPandTO-3PFpackages Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(Coss)profile •100avalanchetested •Zener-protected Applications •Switchingapplications •LLCconverters,resonantconverters Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2tec	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP40N60M2	文件：372.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.088Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP40N60M2	文件：1.19475 Mbytes Page：21 Pages	N-channel600V,0.078typ.,34AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD2PAK,TO-220andTO-247packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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