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STB200N6F3中文资料MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK数据手册ST规格书

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厂商型号

STB200N6F3

功能描述

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-24 10:31:00

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技术参数

  • 型号:

    STB200N6F3

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 60 V 3 m 120 A TO-22

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ST
05+
原厂原装
4051
只做全新原装真实现货供应
询价
ST
23+
TO-263
8795
询价
ST
1709+
TO-263/D2-PAK
32500
普通
询价
22+
NA
3000
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询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ST
24+
TO-263
7500
询价
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产
询价
ST
25+23+
TO252
19958
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ST/意法
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
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