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STB18N60M2中文资料N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB18N60M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB18N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.28
- Drain Current (Dc)_max(A)
：13
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：21.5
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