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STB16N65M5数据手册ST中文资料规格书
技术参数
- 型号：
STB16N65M5
- 功能描述：
MOSFET N-Ch MDMesh V 650V 0.270 Ohm 12A D2PAK
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法 |
2511 |
D2PAK |
360000 |
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询价 | ||
ST |
21+ |
TO263 |
1564 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
11200 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3675 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
69000 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
50000 |
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询价 | ||
ADI |
23+ |
D2PAK |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 |
