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STB150N3LH6数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STB150N3LH6

功能描述

Switching applications

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-11 13:31:00

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技术参数

  • 型号:

    STB150N3LH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO263
60000
询价
STMicroelectronics
21+
TO-263(D2Pak)
1000
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ST/意法
23+
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24+
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ST
23+
TO-263
8795
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