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STB14NM50N数据手册ST中文资料规格书
STB14NM50N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB14NM50N
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：500
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.32
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
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ST |
23+ |
TO-263 |
50000 |
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ST |
2024+ |
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70000 |
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ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
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原厂原装 |
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ST/ |
22+23+ |
TO-263 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
ST/ |
24+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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ST/意法半导体 |
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16900 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
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STMICROELECTRONICS |
2010 |
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