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STB14NM50N中文资料N沟道500 V、0.28 Ohm典型值、12 A MDmesh II功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB14NM50N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB14NM50N
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：500
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.32
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
22500 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-3 |
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ST/意法 |
24+ |
D2PAK |
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ST |
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TO-263 |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-3 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
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原装，正品 |
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SST |
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ST |
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