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STB13N80K5数据手册ST中文资料规格书
STB13N80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
:STB13N80K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:D2PAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.45
- Drain Current (Dc)_max(A)
:12
- PTOT_max(W)
:190
- Qg_typ(nC)
:29
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICROELECTRONICS |
57 |
询价 | |||||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-263-3 |
6000 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-263-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO263 |
1568 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 |