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STB12NM50中文资料N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 12A - D2PAK MDmesh(TM) POWER MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

STB12NM50

功能描述

N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 12A - D2PAK MDmesh(TM) POWER MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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STB12NM50规格书详情

特性 Features

• High dv/dt and avalanche capabilities
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Tight process control and high manufacturing yields
• Low gate input resistance

技术参数

  • 制造商编号

    :STB12NM50

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :D2PAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :500

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.35

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :160

  • Qg_typ(nC)

    :28

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :350

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :30

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