STB11NM80中文资料N沟道800 V、0.35 Ohm、11 A MDmesh(TM) 功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB11NM80规格书详情
描述 Description
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
特性 Features
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• Best RDS(on)*Qg in the industry
技术参数
- 制造商编号
：STB11NM80
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.4
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：44
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST专家 |
20+ |
D2PAK |
69052 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
D2PAK |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ST |
10+ |
TO-263 |
312 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
3200 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
