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STB11NM60-1中文资料MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK数据手册ST规格书
技术参数
- 型号:
STB11NM60-1
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
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ST |
25+ |
I2PAK |
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ST |
TO-262 |
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ST |
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ST |
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24+ |
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ST |
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TO-262 |
38560 |
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ST |
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TO-262 |
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SST |
原厂封装 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-262 |
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