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STB11N52K3数据手册ST中文资料规格书
技术参数
- 型号:
STB11N52K3
- 功能描述:
MOSFET N-channel 525 V 0.41 Ohm 10 A SuperMESH3
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO2633 |
7350 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
30 |
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三年内 |
1983 |
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ST |
19+ |
TO-263 |
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ST |
14000 |
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TO-263 |
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ST |
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ST |
23+ |
TO-263 |
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ST/意法 |
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ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
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