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STB10N60M2中文资料N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB10N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STB10N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.6
- Drain Current (Dc)_max(A)
：7.5
- PTOT_max(W)
：85
- Qg_typ(nC)
：13.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST原现 |
24+ |
TO-263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
TO-263-3 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
