首页>STB100N6F7>规格书详情
STB100N6F7数据手册ST中文资料规格书
STB100N6F7规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent figure of merit (FoM)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STB100N6F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0056
- Drain Current (Dc)_max(A)
：100
- PTOT_max(W)
：125
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263-2 |
32360 |
ST/意法全新特价STB100N6F7即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-263 |
1568 |
10年芯程,只做原装正品现货,欢迎加微信垂询! |
询价 | ||
ST |
1531 |
TO-263-2 |
2002 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-263 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
