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STB100N10F7中文资料N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB100N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STB100N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.008
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：120
- Qg_typ(nC)
：61
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO263 |
6893 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263-3 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/ |
24+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO263 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
18+ |
TO263 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
