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STB10LN80K5中文资料N沟道800 V、0.55 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB10LN80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STB10LN80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.63
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-263 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
进口原装 |
24+ |
NA |
362018 |
进口原装现货有上就有VX17377264928 |
询价 | ||
ST/意法 |
2511 |
D2PAK |
360000 |
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询价 | ||
原厂 |
24+ |
N/A |
10000 |
只做现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-263 |
9080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST/意法 |
2025+ |
TO-263 |
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