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STB10LN80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STB10LN80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.63
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST |
2430+ |
TO-263 |
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ST |
16+ |
TO-263 |
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ST |
25+ |
TO-263 |
5000 |
原厂原装,价格优势 |
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STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-263 |
5000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
880000 |
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询价 | ||
ST |
21+ |
TO-263 |
5000 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-263 |
9080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
