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STB11NM60T4中文资料N沟道600 V、0.4 Ohm典型值、11 A MDmesh功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB11NM60T4规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB11NM60T4
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.45
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：160
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-263 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
D2PAK |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ST |
20+ |
SOT263 |
11000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
18500 |
原装正品支持实单 |
询价 |
