首页>STB11NM60T4>规格书详情
STB11NM60T4数据手册ST中文资料规格书
STB11NM60T4规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STB11NM60T4
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.45
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：160
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-263 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
20+ |
SOT263 |
11000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
18500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SOP263 |
6000 |
原装正品!假一罚十! |
询价 | ||
ST/ |
24+ |
TO-263 |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
询价 | ||
ST/意法 |
08+ |
TO-263 |
55 |
询价 | |||
ST |
22+ |
NA |
3000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
