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STB11NM60N-1数据手册ST中文资料规格书
技术参数
- 型号：
STB11NM60N-1
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3300 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-262 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
08+ |
TO-262 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO220 |
6528 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO263 |
75848 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
9896 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 |
