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STB120N4LF6中文资料N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，D2PAK封装数据手册ST规格书
STB120N4LF6规格书详情
描述 Description
This product is a 40 V N-channel STripFET™ VI Power MOSFET based on the ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Logic level drive
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STB120N4LF6
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.005
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.004
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：80
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1036 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO252 |
20608 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
1842+ |
TO-263 |
1600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
10000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
ST |
2430+ |
TO263 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
18000 |
原装正品 |
询价 |
