N-channel 40 V, 3.1 m廓, 80 A DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

文件：897.83 Kbytes 页数：18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件：1.07752 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，D2PAK封装

This product is a 40 V N-channel STripFET™ VI Power MOSFET based on the ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. • Logic level drive \n• 100% avalanche tested;

ST

意法半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.32818 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-channel 40 V, 3.1 m廓, 80 A DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

文件：897.83 Kbytes 页数：18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

High avalanche ruggedness

文件：935.12 Kbytes 页数：14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体