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STB120N4LF6中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
STB120N4LF6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-3 |
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ST |
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ST |
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TO-263 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
10000 |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-3 |
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ST |
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TO-263 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
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ST |
20+ |
D2PAK |
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