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STB120N4F6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
STB120N4F6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
7500 |
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询价 | ||
VBsemi |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
26+ |
TO-263-3 |
60000 |
只有原装 可配单 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-263-3 |
16900 |
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ST |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
25+ |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 |
