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STD120N4LF6	文件：897.83 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 40 V, 3.1 m廓, 80 A DPAK, D짼PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD120N4LF6	文件：1.32818 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STB120N4LF6	文件：1.07752 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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STL120N4LF6AG	文件：935.12 Kbytes Page：14 Pages	Highavalancheruggedness	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD120N4LF6
功能描述：
MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STD120N4LF6供应商更新时间2025-5-1 16:04:00

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