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STD120N4LF6中文资料N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STD120N4LF6

功能描述

N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-24 20:00:00

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STD120N4LF6规格书详情

描述 Description

This product is a 40 V N-channel STripFET™ VI Power MOSFET based on the ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Logic level drive
• 100% avalanche tested

技术参数

  • 制造商编号

    :STD120N4LF6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :40

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.005

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.004

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :80

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :80

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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