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STD11NM60N中文资料N-channel 600 V, 0.37 Ohm, 10 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in a DPAK package数据手册ST规格书
STD11NM60N规格书详情
描述 Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
100% avalanche tested
Low gate input resistancel
Low input capacitance and gate charge
技术参数
- 型号：
STD11NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3289 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
20+ |
D-PAK |
32500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
18+ |
TO-252 |
245 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DPAK |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
