首页>STD11NM60N>规格书详情
STD11NM60N数据手册ST中文资料规格书
STD11NM60N规格书详情
描述 Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
100% avalanche tested
Low gate input resistancel
Low input capacitance and gate charge
技术参数
- 型号：
STD11NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2021+ |
D-PAK |
12000 |
勤思达 只做原装 现货库存 |
询价 | ||
ST |
20+ |
D-PAK |
32500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-252-3 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
询价 | |||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268577邹小姐 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 |
