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STD110N8F6中文资料N沟道80 V、0.0056 Ohm典型值、110 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD110N8F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD110N8F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：80
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0065
- Drain Current (Dc)_max(A)
：110
- PTOT_max(W)
：200
- Qg_typ(nC)
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
12421 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
24+ |
20 |
询价 | |||||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
12421 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
7880 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
ST |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
26+ |
TO-252 |
76200 |
全新原装进口现货,,本公司承诺原装正品假一赔百 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品 |
询价 |
